NTJD4152PT1G是安森美旗下的FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供NTJD4152PT1G現(xiàn)貨庫(kù)存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢(xún)。我們可為您提供NTJD4152PT1G datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購(gòu)與在線詢(xún)價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 880mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260mOhm @ 880mA, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 155pF @ 20V |
| Power - Max | 272mW |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
NTJD4152PT1G 是由 安森美 制造的 FET、MOSFET 陣列 類(lèi)電子元器件。MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 P-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 20V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA。
NTJD4152PT1G 共有 15 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（260mOhm @ 880mA, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1.2V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（2.2nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（155pF @ 20V）、Power - Max（272mW） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū)，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 安森美：安森美（onsemi）作為全球領(lǐng)先的能源高效創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)者，致力于賦能客戶(hù)實(shí)現(xiàn)全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術(shù)積淀和前瞻性的戰(zhàn)略布局，為全球設(shè)計(jì)工程師提供全面、領(lǐng)先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營(yíng)產(chǎn)品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類(lèi)別，包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號(hào)管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可或缺的組成部分，安森美通過(guò)其豐富的產(chǎn)品組合，有效應(yīng)對(duì)客戶(hù)在各種復(fù)雜設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)中遇到的難題。
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