| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250A |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42.3nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1418pF @ 10V |
| Power - Max | 1W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Supplier Device Package | U-DFN2030-6 (Type B) |
DMN2008LFU-7 是由 德利通 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain、Drain to Source Voltage (Vdss): 20V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V。
DMN2008LFU-7 共有 14 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（1.5V @ 250A）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（42.3nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1418pF @ 10V）、Power - Max（1W）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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