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| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 8.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 478.9pF @ 16V |
| Power - Max | 1.42W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SO |
DMG4822SSDQ-13 是由 德利通 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V。
DMG4822SSDQ-13 共有 14 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id(3V @ 250μA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(5nC @ 4.5V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(478.9pF @ 16V)、Power - Max(1.42W (Ta))、Operating Temperature(-55°C ~ 150°C (TJ)) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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