| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 6.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.6nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 460pF @ 30V |
| Power - Max | 2W (Ta) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
SH8KC6TB1 是由 羅姆半導體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。60V DUAL NCH+NCH, SOP8, POWER MO。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V。
SH8KC6TB1 共有 14 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（7.6nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（460pF @ 30V）、Power - Max（2W (Ta)）、Operating Temperature（150°C (TJ)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 羅姆半導體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設計和制造半導體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應用于不斷發展壯大的無線通信、計算機、汽車和消費電子市場。一些最具創新性的設備和裝置都采用了羅姆的產品。
SH8KC6TB1 現貨庫存充足，可通過深圳凌創輝電子有限公司立即采購。作為 羅姆半導體 代理商和供應商，我們保證所有元器件均為100%原裝正品，來源可靠可追溯。我們提供SH8KC6TB1價格報價查詢、datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦服務，支持批量采購與在線詢價。立即申請報價，獲取 SH8KC6TB1 的最新價格和交期信息。
深圳凌創輝電子有限公司是羅姆半導體代理商，專業供應SH8KC6TB1等FET、MOSFET 陣列 產品。如您需要SH8KC6TB1的datasheet數據手冊、規格參數詳情或替代型號信息，歡迎聯系我們獲取技術支持。
我們提供SH8KC6TB1現貨庫存查詢與價格報價，支持批量采購與在線詢價，原裝正品保障，發貨速度快。聯系方式：0755-83216080 / SALES@LJQ.CC。
