| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 10μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1020pF @ 25V |
| Power - Max | 2W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SO |
IRL6372TRPBF 是由 英飛凌科技 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A。
IRL6372TRPBF 共有 15 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1.1V @ 10μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（11nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1020pF @ 25V）、Power - Max（2W） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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