| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 9.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 755pF @ 30V |
| Power - Max | 2.5W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
AOSD62666E 是由 萬國半導體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2 N-CH 60V 9.5A 8SOIC。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)。
AOSD62666E 共有 15 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（14.5mOhm @ 9.5A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.2V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（10nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（755pF @ 30V）、Power - Max（2.5W (Ta)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 萬國半導體：**萬國半導體 (Alpha and Omega Semiconductor, Inc.)：賦能高效能源應用的功率半導體先驅**
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