IPG20N10S4L35ATMA1是英飛凌科技旗下的FET、MOSFET 陣列 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供IPG20N10S4L35ATMA1現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供IPG20N10S4L35ATMA1 datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 16μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.4nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1105pF @ 25V |
| Power - Max | 43W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-4 |
IPG20N10S4L35ATMA1 是由 英飛凌科技 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2N-CH 8TDSON。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 100V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A。
IPG20N10S4L35ATMA1 共有 15 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（35mOhm @ 17A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.1V @ 16μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（17.4nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1105pF @ 25V）、Power - Max（43W） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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