STS4DNF60L是意法半導(dǎo)體旗下的FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供STS4DNF60L現(xiàn)貨庫存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供STS4DNF60L datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1030pF @ 25V |
| Power - Max | 2W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
STS4DNF60L 是由 意法半導(dǎo)體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A。
STS4DNF60L 共有 15 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（55mOhm @ 2A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（15nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1030pF @ 25V）、Power - Max（2W） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 意法半導(dǎo)體：意法半導(dǎo)體是一家全球獨(dú)立的半導(dǎo)體公司，是開發(fā)和提供微電子應(yīng)用領(lǐng)域半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者。公司結(jié)合了硅和系統(tǒng)方面的專業(yè)知識(shí)、制造實(shí)力、知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）組合以及戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，使其在系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）技術(shù)的前沿占據(jù)領(lǐng)先地位，其產(chǎn)品在推動(dòng)當(dāng)今的融合趨勢中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是意法半導(dǎo)體代理商，專業(yè)供應(yīng)STS4DNF60L等FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品。如您需要STS4DNF60L的datasheet數(shù)據(jù)手冊、規(guī)格參數(shù)詳情或替代型號(hào)信息，歡迎聯(lián)系我們獲取技術(shù)支持。
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