| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V, 12V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A, 1.3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 10V |
| Power - Max | 1W |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
| Supplier Device Package | TUMT6 |
US6M11TR 是由 羅姆半導體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 12V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, 1.3A。
US6M11TR 共有 15 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（180mOhm @ 1.5A, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（1.8nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（110pF @ 10V）、Power - Max（1W） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 羅姆半導體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設計和制造半導體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應用于不斷發展壯大的無線通信、計算機、汽車和消費電子市場。一些最具創新性的設備和裝置都采用了羅姆的產品。
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