AO4807是萬國半導體旗下的FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供AO4807現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供AO4807 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Not For New Designs |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 15V |
| Power - Max | 2W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
AO4807 是由 萬國半導體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2P-CH 30V 6A 8-SOIC。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Not For New Designs、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 P-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A。
AO4807 共有 15 項技術參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（35mOhm @ 6A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.4V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（16nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（760pF @ 15V）、Power - Max（2W） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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