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| Product Status | Active |
| Technology | - |
| Configuration | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 305pF @ 15V |
| Power - Max | 2W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-PowerUDFN |
| Supplier Device Package | HUML2020L8 |
UT6JA2TCR 是由 羅姆半導體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。-30V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET。該器件的核心參數包括:Product Status: Active、Configuration: 2 P-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V、Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA。
UT6JA2TCR 共有 13 項技術參數,涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(6.7nC @ 10V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(305pF @ 15V)、Power - Max(2W)、Operating Temperature(-55°C ~ 150°C (TJ))、Mounting Type(Surface Mount) 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 羅姆半導體:羅姆公司成立于1958年,總部位于日本京都。羅姆設計和制造半導體、集成電路及其他電子元件,這些元件廣泛應用于不斷發展壯大的無線通信、計算機、汽車和消費電子市場。一些最具創新性的設備和裝置都采用了羅姆的產品。
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