| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.4nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 741pF @ 30V |
| Power - Max | 2.1W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
CSD88539ND 是由 德州儀器 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V。
CSD88539ND 共有 14 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（3.6V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（9.4nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（741pF @ 30V）、Power - Max（2.1W）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 德州儀器：德州儀器公司（Texas Instruments Incorporated，簡稱TI）是一家全球領先的半導體設計和制造企業，專注于開發模擬集成電路和嵌入式處理器。通過匯聚全球最杰出的人才，TI不斷創造出塑造科技未來的創新成果。TI正助力超過10萬名客戶在當下變革未來。
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