| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Ta), 5A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44mOhm @ 4.5A, 10V, 41mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.5nC @ 10V, 17.2nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 20V, 920pF @ 20V |
| Power - Max | 1.1W (Ta) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Supplier Device Package | TSMT8 |
QH8MB5TCR 是由 羅姆半導體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。40V 4.5A/5.0A, DUAL NCH+PCH, TSM。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel、Drain to Source Voltage (Vdss): 40V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5A (Ta)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.5A, 10V, 41mOhm @ 5A, 10V。
QH8MB5TCR 共有 14 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（3.5nC @ 10V, 17.2nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（150pF @ 20V, 920pF @ 20V）、Power - Max（1.1W (Ta)）、Operating Temperature（150°C (TJ)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 羅姆半導體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設計和制造半導體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應用于不斷發展壯大的無線通信、計算機、汽車和消費電子市場。一些最具創新性的設備和裝置都采用了羅姆的產品。
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