SH8KB6TB1是羅姆半導(dǎo)體旗下的FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供SH8KB6TB1現(xiàn)貨庫存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供SH8KB6TB1 datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.5A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.4mOhm @ 8.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.6nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 530pF @ 20V |
| Power - Max | 2W (Ta) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
SH8KB6TB1 是由 羅姆半導(dǎo)體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。40V 8.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, POW。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 40V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V。
SH8KB6TB1 共有 14 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（10.6nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（530pF @ 20V）、Power - Max（2W (Ta)）、Operating Temperature（150°C (TJ)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 羅姆半導(dǎo)體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設(shè)計(jì)和制造半導(dǎo)體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應(yīng)用于不斷發(fā)展壯大的無線通信、計(jì)算機(jī)、汽車和消費(fèi)電子市場(chǎng)。一些最具創(chuàng)新性的設(shè)備和裝置都采用了羅姆的產(chǎn)品。
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是羅姆半導(dǎo)體代理商，專業(yè)供應(yīng)SH8KB6TB1等FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品。如您需要SH8KB6TB1的datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)、規(guī)格參數(shù)詳情或替代型號(hào)信息，歡迎聯(lián)系我們獲取技術(shù)支持。
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