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| Product Status | Active |
| Transistor Type | - |
| Current - Collector (Ic) (Max) | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
| Resistor - Base (R1) | - |
| Resistor - Emitter Base (R2) | - |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
| Current - Collector Cutoff (Max) | - |
| Frequency - Transition | - |
| Power - Max | - |
| Mounting Type | - |
| Package / Case | - |
| Supplier Device Package | - |
PDTD123TT,215 是由 恩智浦半導(dǎo)體 制造的 單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管 類(lèi)電子元器件。TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active。
關(guān)于 恩智浦半導(dǎo)體：**恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）：連接未來(lái)，驅(qū)動(dòng)智能世界**
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