PDTC114EM,315是恩智浦半導體旗下的單個預偏置雙極晶體管 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供PDTC114EM,315現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供PDTC114EM,315 datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500μA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1μA |
| Frequency - Transition | 230 MHz |
| Power - Max | 250 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-101, SOT-883 |
| Supplier Device Package | DFN1006-3 |
PDTC114EM,315 是由 恩智浦半導體 制造的 單個預偏置雙極晶體管 類電子元器件。NEXPERIA PDTC114E - NPN RESISTOR。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Resistor - Base (R1): 10 kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms。
PDTC114EM,315 共有 14 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（30 @ 5mA, 5V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（150mV @ 500μA, 10mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（1μA）、Frequency - Transition（230 MHz）、Power - Max（250 mW） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
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