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| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
| Power - Max | 225 mW |
| Frequency - Transition | 50MHz |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
MMBTA56LT1G 是由 安森美 制造的 單雙極晶體管 類電子元器件。TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3。該器件的核心參數包括:Product Status: Active、Transistor Type: PNP、Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA、Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)。
MMBTA56LT1G 共有 13 項技術參數,涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce(100 @ 100mA, 1V)、Power - Max(225 mW)、Frequency - Transition(50MHz)、Operating Temperature(-55°C ~ 150°C (TJ))、Mounting Type(Surface Mount) 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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