MJD50T4G是安森美旗下的單雙極晶體管 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供MJD50T4G現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供MJD50T4G datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400 V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 1A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 200μA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 300mA, 10V |
| Power - Max | 1.56 W |
| Frequency - Transition | 10MHz |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package | DPAK |
MJD50T4G 是由 安森美 制造的 單雙極晶體管 類電子元器件。TRANS NPN 400V 1A DPAK。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN、Current - Collector (Ic) (Max): 1 A、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A、Current - Collector Cutoff (Max): 200μA。
MJD50T4G 共有 13 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（30 @ 300mA, 10V）、Power - Max（1.56 W）、Frequency - Transition（10MHz）、Operating Temperature（-65°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 安森美：安森美（onsemi）作為全球領(lǐng)先的能源高效創(chuàng)新驅(qū)動者，致力于賦能客戶實(shí)現(xiàn)全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術(shù)積淀和前瞻性的戰(zhàn)略布局，為全球設(shè)計工程師提供全面、領(lǐng)先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營產(chǎn)品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別，包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可或缺的組成部分，安森美通過其豐富的產(chǎn)品組合，有效應(yīng)對客戶在各種復(fù)雜設(shè)計挑戰(zhàn)中遇到的難題。
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