| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 8V @ 3.3A, 10A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50μA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 4A, 4V |
| Power - Max | 1.75 W |
| Frequency - Transition | 2MHz |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package | DPAK |
MJD3055T4G 是由 安森美 制造的 單雙極晶體管 類電子元器件。TRANS NPN 60V 10A DPAK。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN、Current - Collector (Ic) (Max): 10 A、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A、Current - Collector Cutoff (Max): 50μA。
MJD3055T4G 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（20 @ 4A, 4V）、Power - Max（1.75 W）、Frequency - Transition（2MHz）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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