| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400 V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 350mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 350mA, 5V |
| Power - Max | 1.25 W |
| Frequency - Transition | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
DI2579N 是由 泰迪半導體 制造的 單雙極晶體管 類電子元器件。TRANS NPN 400V 1A SOT223。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN、Current - Collector (Ic) (Max): 1 A、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 350mA、Current - Collector Cutoff (Max): 1mA。
DI2579N 共有 12 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（15 @ 350mA, 5V）、Power - Max（1.25 W）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（TO-261-4, TO-261AA） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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