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| Product Status | Active |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 100A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 500nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10200pF @ 800V |
| Power - Max | 1080W |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | Module |
QJD1210010 是由 派瑞克斯 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC。該器件的核心參數包括:Product Status: Active、Technology: Silicon Carbide (SiC)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 100A, 20V。
QJD1210010 共有 14 項技術參數,涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id(5V @ 10mA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(500nC @ 20V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(10200pF @ 800V)、Power - Max(1080W)、Operating Temperature(-40°C ~ 175°C (TJ)) 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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