| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 100A, 15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 34mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 330nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8200pF @ 10V |
| Power - Max | 520W |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | Module |
QJD1210SA1 是由 派瑞克斯 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 100A, 15V。
QJD1210SA1 共有 14 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（1.6V @ 34mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（330nC @ 15V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（8200pF @ 10V）、Power - Max（520W）、Operating Temperature（-40°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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