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LN60A01ES-LF是美信半導(dǎo)體旗下的FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品,深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供LN60A01ES-LF現(xiàn)貨庫存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供LN60A01ES-LF datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦,原裝正品保障,支持批量采購與在線詢價(jià),發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 3 N-Channel, Common Gate |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190Ohm @ 10mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Power - Max | 1.3W |
| Operating Temperature | -20°C ~ 125°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
LN60A01ES-LF 是由 美信半導(dǎo)體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 3 N-Channel, Common Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 600V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80mA、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190Ohm @ 10mA, 10V。
LN60A01ES-LF 共有 12 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id(1.2V @ 250μA)、Power - Max(1.3W)、Operating Temperature(-20°C ~ 125°C (TJ))、Mounting Type(Surface Mount)、Package / Case(8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 美信半導(dǎo)體:Monolithic Power Systems(MPS,中文名:美信半導(dǎo)體)是一家領(lǐng)先的高性能集成電源解決方案提供商,致力于通過創(chuàng)新技術(shù)為全球電子產(chǎn)業(yè)提供至關(guān)重要的**元器件**。自成立以來,MPS始終專注于研發(fā)和生產(chǎn)小巧、高能效的**電子元件**,以滿足日益增長的能源效率和空間限制需求。公司的主營產(chǎn)品線涵蓋了廣泛的電源管理**IC芯片**,包括AC/DC和DC/DC轉(zhuǎn)換器、LED驅(qū)動(dòng)器、電池充電器以及各類電源管理集成電路,這些**IC芯片**在現(xiàn)代電子設(shè)備中扮演著核心角色。
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