TPD3215M是Transphorm旗下的FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供TPD3215M現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供TPD3215M datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Configuration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 30A, 8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2260pF @ 100V |
| Power - Max | 470W |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | Module |
TPD3215M 是由 Transphorm 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)、Drain to Source Voltage (Vdss): 600V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 30A, 8V。
TPD3215M 共有 13 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（28nC @ 8V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（2260pF @ 100V）、Power - Max（470W）、Operating Temperature（-40°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Through Hole） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 Transphorm：Transphorm (Nasdaq: TGAN) 是一家全球領(lǐng)先的高性能、高可靠性氮化鎵（GaN）**元器件**制造商，專注于高壓**電子元件**的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)設(shè)計與生產(chǎn)。公司擁有業(yè)界規(guī)模龐大的GaN知識產(chǎn)權(quán)組合，超過1000項專利，這使其能夠提供行業(yè)內(nèi)最全面的GaN**IC芯片**產(chǎn)品線，覆蓋從45瓦到10千瓦以上廣泛的功率等級，滿足多樣化的應(yīng)用需求。Transphorm的SuperGaN?平臺核心技術(shù)優(yōu)勢顯著，在可制造性、設(shè)計靈活性、驅(qū)動性能和可靠性方面均表現(xiàn)卓越。
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