F445MR12W1M1B76BPSA1是英飛凌科技旗下的FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供F445MR12W1M1B76BPSA1現(xiàn)貨庫存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供F445MR12W1M1B76BPSA1 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) |
| Configuration | 4 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 25A, 15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.55V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1840pF @ 800V |
| Power - Max | - |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | AG-EASY1B-2 |
F445MR12W1M1B76BPSA1 是由 英飛凌科技 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET MODULE。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Technology: Silicon Carbide (SiC)、Configuration: 4 N-Channel (Half Bridge)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tj)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V。
F445MR12W1M1B76BPSA1 共有 13 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（5.55V @ 10mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（62nC @ 15V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1840pF @ 800V）、Operating Temperature（-40°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Chassis Mount） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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