FDS6900AS-G是安森美旗下的FET、MOSFET 陣列 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供FDS6900AS-G現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供FDS6900AS-G datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.9A, 8.2A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 6.9A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250μA, 3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 15V |
| Power - Max | 900mW (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
FDS6900AS-G 是由 安森美 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A, 8.2A。
FDS6900AS-G 共有 15 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（27mOhm @ 6.9A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（3V @ 250μA, 3V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（15nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（600pF @ 15V）、Power - Max（900mW (Ta)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
關于 安森美：安森美（onsemi）作為全球領先的能源高效創新驅動者，致力于賦能客戶實現全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術積淀和前瞻性的戰略布局，為全球設計工程師提供全面、領先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營產品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別，包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現代電子產品不可或缺的組成部分，安森美通過其豐富的產品組合，有效應對客戶在各種復雜設計挑戰中遇到的難題。
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