| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 7A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1050pF @ 15V |
| Power - Max | 3.1W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-WFDFN Exposed Pad |
| Supplier Device Package | 6-DFN-EP (2x5) |
AON5802BG 是由 萬國半導體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2N-CH 30V 10A 6DFN。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V。
AON5802BG 共有 14 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（1.5V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（32nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1050pF @ 15V）、Power - Max（3.1W (Ta)）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 萬國半導體：**萬國半導體 (Alpha and Omega Semiconductor, Inc.)：賦能高效能源應用的功率半導體先驅**
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