PJL9812_R2_00001是磐成旗下的FET、MOSFET 陣列 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供PJL9812_R2_00001現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供PJL9812_R2_00001 datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Discontinued at Digi-Key |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.1nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 421pF @ 15V |
| Power - Max | 2W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
PJL9812_R2_00001 是由 磐成 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。30V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M。該器件的核心參數包括：Product Status: Discontinued at Digi-Key、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V。
PJL9812_R2_00001 共有 14 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（1.3V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（5.1nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（421pF @ 15V）、Power - Max（2W (Ta)）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
關于 磐成：PANJIT（磐成）作為一家全球性的集成器件制造商（IDM），憑借其深厚的技術積淀和前瞻性的發展戰略，致力于為全球客戶提供卓越的電子元器件解決方案。公司擁有豐富的產品線，涵蓋了廣泛的電子元件類型，包括高性能的MOSFET、高效率的肖特基二極管、前沿的碳化硅（SiC）器件、經典的雙極結型晶體管（BJT）、整流橋等關鍵電子元器件。這些產品憑借其出色的性能和可靠的質量，廣泛應用于各種嚴苛的電子設備之中。
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