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| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 5A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Power - Max | 3.1W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 10-SMD, No Lead |
| Supplier Device Package | 10-AlphaDFN (2.98x1.49) |
AOCA33104E 是由 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET N-CH DUAL 12V 30A 10DFN。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 12V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 5A, 4.5V。
AOCA33104E 共有 13 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id(1.2V @ 250μA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(36nC @ 4.5V)、Power - Max(3.1W (Ta))、Operating Temperature(-55°C ~ 150°C (TJ))、Mounting Type(Surface Mount) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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