| Product Status | Active |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 154A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 100A, 15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 40mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 546.4nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7007pF @ 450V |
| Power - Max | 328W (Tj) |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | - |
NXH010P90MNF1PG 是由 安森美 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOH。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Technology: Silicon Carbide (SiC)、Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source、Drain to Source Voltage (Vdss): 900V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V。
NXH010P90MNF1PG 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（4.3V @ 40mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（546.4nC @ 15V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（7007pF @ 450V）、Power - Max（328W (Tj)）、Operating Temperature（-40°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 安森美：安森美（onsemi）作為全球領先的能源高效創新驅動者，致力于賦能客戶實現全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術積淀和前瞻性的戰略布局，為全球設計工程師提供全面、領先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營產品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別，包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現代電子產品不可或缺的組成部分，安森美通過其豐富的產品組合，有效應對客戶在各種復雜設計挑戰中遇到的難題。
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