| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta), 16A (Tc), 15A (Ta), 18A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.2mOhm @ 13A, 10V, 7.7mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V, 17.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 485pF @ 15V, 807pF @ 15V |
| Power - Max | 2.5W (Ta), 23W (Tc), 2.5W (Ta), 25W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-WDFN Exposed Pad |
| Supplier Device Package | 8-DFN-EP (3x3) |
AON7934_102 是由 萬國半導體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 16A (Tc), 15A (Ta), 18A (Tc)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 13A, 10V, 7.7mOhm @ 15A, 10V。
AON7934_102 共有 14 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（2.2V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（11nC @ 10V, 17.5nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（485pF @ 15V, 807pF @ 15V）、Power - Max（2.5W (Ta), 23W (Tc), 2.5W (Ta), 25W (Tc)）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 萬國半導體：**萬國半導體 (Alpha and Omega Semiconductor, Inc.)：賦能高效能源應用的功率半導體先驅**
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