| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta), 2A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 3A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 20μA, 4V @ 450μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.5nC @ 10V, 16nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 340pF, 400pF @ 25V |
| Power - Max | 2W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | PG-DSO-8 |
BSO612CVG 是由 英飛凌科技 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。BSO612 - 20V-60V COMPLEMENTARY M。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2A (Ta)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V。
BSO612CVG 共有 14 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（4V @ 20μA, 4V @ 450μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（15.5nC @ 10V, 16nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（340pF, 400pF @ 25V）、Power - Max（2W (Ta)）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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