| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.9A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.3mOhm @ 8.9A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 10V |
| Power - Max | 2W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SO |
IRF8915TRPBF 是由 國際整流器 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。HEXFET POWER MOSFET。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 20V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A。
IRF8915TRPBF 共有 15 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（18.3mOhm @ 8.9A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（7.4nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（540pF @ 10V）、Power - Max（2W） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 國際整流器：International Rectifier（中文名：國際整流器），作為一家在電子元器件行業享有盛譽的品牌，憑借其深厚的技術積淀和卓越的產品性能，在全球范圍內贏得了廣泛認可。自創立以來，國際整流器始終專注于高端電源管理半導體和功率器件的研發、制造與銷售，為現代電子設備的發展注入強大動力。其主營產品類別涵蓋了功率 MOSFET、IGBT、二極管、整流器、電源管理 IC、模擬 IC 以及一系列高集成度的電源模塊等，這些**電子元件**構成了各類電子系統中的關鍵組成部分。
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