| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta), 4.2A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 590pF @ 15V, 631pF @ 15V |
| Power - Max | 1.5W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SO |
DI006H03SQ 是由 泰迪半導體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET, SO-8, 30V, 6A, 150C, 0。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)、FET Feature: Standard、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 4.2A (Ta)。
DI006H03SQ 共有 15 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（590pF @ 15V, 631pF @ 15V）、Power - Max（1.5W (Ta)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 泰迪半導體：**泰迪半導體（Diotec Semiconductor）：深耕半導體領域，提供全方位解決方案的行業專家**
DI006H03SQ 現貨庫存充足，可通過深圳凌創輝電子有限公司立即采購。作為 泰迪半導體 代理商和供應商，我們保證所有元器件均為100%原裝正品，來源可靠可追溯。我們提供DI006H03SQ價格報價查詢、datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦服務，支持批量采購與在線詢價。立即申請報價，獲取 DI006H03SQ 的最新價格和交期信息。
深圳凌創輝電子有限公司是泰迪半導體代理商，專業供應DI006H03SQ等FET、MOSFET 陣列 產品。如您需要DI006H03SQ的datasheet數據手冊、規格參數詳情或替代型號信息，歡迎聯系我們獲取技術支持。
我們提供DI006H03SQ現貨庫存查詢與價格報價，支持批量采購與在線詢價，原裝正品保障，發貨速度快。聯系方式：0755-83216080 / SALES@LJQ.CC。
