| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.7A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 525pF @ 30V |
| Power - Max | 3W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SO |
DI4A7P06SQ2 是由 泰迪半導體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET, SO-8, -60V, -4.7A, 150C。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 P-Channel、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)。
DI4A7P06SQ2 共有 15 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（75mOhm @ 5A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.3V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（8.5nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（525pF @ 30V）、Power - Max（3W (Ta)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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