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MMUN2115LT1G是安森美旗下的單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管 產(chǎn)品,深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供MMUN2115LT1G現(xiàn)貨庫(kù)存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供MMUN2115LT1G datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦,原裝正品保障,支持批量采購(gòu)與在線詢價(jià),發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | - |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequency - Transition | - |
| Power - Max | 400 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
MMUN2115LT1G 是由 安森美 制造的 單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管 類電子元器件。TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Transistor Type: PNP - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Resistor - Base (R1): 10 kOhms、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V。
MMUN2115LT1G 共有 12 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic(250mV @ 300μA, 10mA)、Current - Collector Cutoff (Max)(500nA)、Power - Max(400 mW)、Mounting Type(Surface Mount)、Package / Case(TO-236-3, SC-59, SOT-23-3) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū),獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 安森美:安森美(onsemi)作為全球領(lǐng)先的能源高效創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)者,致力于賦能客戶實(shí)現(xiàn)全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術(shù)積淀和前瞻性的戰(zhàn)略布局,為全球設(shè)計(jì)工程師提供全面、領(lǐng)先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營(yíng)產(chǎn)品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別,包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號(hào)管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可或缺的組成部分,安森美通過(guò)其豐富的產(chǎn)品組合,有效應(yīng)對(duì)客戶在各種復(fù)雜設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)中遇到的難題。
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