DTD113ZCHZGT116是羅姆半導體旗下的單個預偏置雙極晶體管 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供DTD113ZCHZGT116現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供DTD113ZCHZGT116 datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 50mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | - |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Power - Max | 200 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | SST3 |
DTD113ZCHZGT116 是由 羅姆半導體 制造的 單個預偏置雙極晶體管 類電子元器件。500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR (WI。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA、Resistor - Base (R1): 1 kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V。
DTD113ZCHZGT116 共有 12 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（300mV @ 2.5mA, 50mA）、Frequency - Transition（200 MHz）、Power - Max（200 mW）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（TO-236-3, SC-59, SOT-23-3） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 羅姆半導體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設計和制造半導體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應用于不斷發展壯大的無線通信、計算機、汽車和消費電子市場。一些最具創新性的設備和裝置都采用了羅姆的產品。
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