DTD123TKT146是羅姆半導(dǎo)體旗下的單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供DTD123TKT146現(xiàn)貨庫存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供DTD123TKT146 datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | - |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Power - Max | 200 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | SMT3 |
DTD123TKT146 是由 羅姆半導(dǎo)體 制造的 單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管 類電子元器件。TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V、Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V。
DTD123TKT146 共有 13 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（300mV @ 2.5mA, 50mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（500nA (ICBO)）、Frequency - Transition（200 MHz）、Power - Max（200 mW）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 羅姆半導(dǎo)體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設(shè)計(jì)和制造半導(dǎo)體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應(yīng)用于不斷發(fā)展壯大的無線通信、計(jì)算機(jī)、汽車和消費(fèi)電子市場。一些最具創(chuàng)新性的設(shè)備和裝置都采用了羅姆的產(chǎn)品。
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