MMDT5111W是泰迪半導體旗下的單個預偏置雙極晶體管 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供MMDT5111W現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供MMDT5111W datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 10mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Power - Max | 200 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
MMDT5111W 是由 泰迪半導體 制造的 單個預偏置雙極晶體管 類電子元器件。DIGITAL TR SOT-323 50V 100MA。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Transistor Type: PNP - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA、Resistor - Base (R1): 10 kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 10mA, 5V。
MMDT5111W 共有 12 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Current - Collector Cutoff (Max)（100nA (ICBO)）、Frequency - Transition（250 MHz）、Power - Max（200 mW）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（SC-70, SOT-323） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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