| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Power - Max | 200 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
MMDT5112W 是由 泰迪半導體 制造的 單個預偏置雙極晶體管 類電子元器件。DIGITAL TR SOT-323 50V 100MA。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Transistor Type: PNP - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA、Resistor - Base (R1): 22 kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V。
MMDT5112W 共有 12 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Current - Collector Cutoff (Max)（100nA (ICBO)）、Frequency - Transition（250 MHz）、Power - Max（200 mW）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（SC-70, SOT-323） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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