AN1L3N是日電旗下的單個預(yù)偏置雙極晶體管 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供AN1L3N現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供AN1L3N datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 50mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 250μA, 5mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Frequency - Transition | - |
| Power - Max | 250 mW |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Supplier Device Package | TO-92 |
AN1L3N 是由 日電 制造的 單個預(yù)偏置雙極晶體管 類電子元器件。SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Transistor Type: PNP - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms。
AN1L3N 共有 13 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（80 @ 50mA, 5V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（200mV @ 250μA, 5mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（100nA (ICBO)）、Power - Max（250 mW）、Mounting Type（Through Hole） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 日電：NEC Corporation 是一家總部位于日本的全球性信息技術(shù)公司，成立于1899年。作為一家多元化的企業(yè)，NEC 在通信、計算機(jī)、電子設(shè)備和系統(tǒng)集成等領(lǐng)域擁有廣泛的業(yè)務(wù)。公司致力于通過創(chuàng)新技術(shù)解決社會問題，提供包括人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、云計算和網(wǎng)絡(luò)安全在內(nèi)的先進(jìn)解決方案。NEC 在全球范圍內(nèi)擁有強(qiáng)大的市場影響力，尤其在公共安全、交通管理和企業(yè)解決方案方面表現(xiàn)突出。公司秉承“通過創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)社會價值”的理念，不斷推動技術(shù)進(jìn)步，助力構(gòu)建更加智能和可持續(xù)的未來。
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