| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Power - Max | 300 mW |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
| Supplier Device Package | TO-92S |
DTC114ESA-BP 是由 微電子元件公司 制造的 單個預偏置雙極晶體管 類電子元器件。TRANSISTOR TO-92。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: NPN - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Resistor - Base (R1): 10 kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms。
DTC114ESA-BP 共有 14 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（30 @ 5mA, 5V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（300mV @ 500μA, 10mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（500nA）、Frequency - Transition（250 MHz）、Power - Max（300 mW） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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