DTD113ZSTP是羅姆半導體旗下的單個預偏置雙極晶體管 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供DTD113ZSTP現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供DTD113ZSTP datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased + Diode |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 50mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Power - Max | 300 mW |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | SC-72 Formed Leads |
| Supplier Device Package | SPT |
DTD113ZSTP 是由 羅姆半導體 制造的 單個預偏置雙極晶體管 類電子元器件。TRANS DIGITAL BJT NPN 500MA 3-PI。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode、Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Resistor - Base (R1): 1 kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms。
DTD113ZSTP 共有 14 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（82 @ 50mA, 5V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（300mV @ 2.5mA, 50mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（500nA）、Frequency - Transition（200 MHz）、Power - Max（300 mW） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
關于 羅姆半導體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設計和制造半導體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應用于不斷發展壯大的無線通信、計算機、汽車和消費電子市場。一些最具創新性的設備和裝置都采用了羅姆的產品。
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