| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased + Diode |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12 V |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 100mA, 2V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequency - Transition | 260 MHz |
| Power - Max | 150 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Supplier Device Package | VMT3 |
DTB543ZMT2L 是由 羅姆半導體 制造的 單個預偏置雙極晶體管 類電子元器件。TRANSISTOR。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Transistor Type: PNP - Pre-Biased + Diode、Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V、Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms。
DTB543ZMT2L 共有 14 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（140 @ 100mA, 2V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（300mV @ 5mA, 100mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（500nA）、Frequency - Transition（260 MHz）、Power - Max（150 mW） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 羅姆半導體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設計和制造半導體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應用于不斷發展壯大的無線通信、計算機、汽車和消費電子市場。一些最具創新性的設備和裝置都采用了羅姆的產品。
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