PDTA114TK,115是恩智浦半導體旗下的單個預偏置雙極晶體管 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供PDTA114TK,115現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供PDTA114TK,115 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | - |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 1mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500μA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1μA |
| Frequency - Transition | - |
| Power - Max | 250 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | SMT3; MPAK |
PDTA114TK,115 是由 恩智浦半導體 制造的 單個預偏置雙極晶體管 類電子元器件。TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: PNP - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Resistor - Base (R1): 10 kOhms、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V。
PDTA114TK,115 共有 12 項技術參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（150mV @ 500μA, 10mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（1μA）、Power - Max（250 mW）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（TO-236-3, SC-59, SOT-23-3） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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