| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | - |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequency - Transition | - |
| Power - Max | 250 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | SMT3; MPAK |
PDTB123TK,115 是由 恩智浦半導體 制造的 單個預偏置雙極晶體管 類電子元器件。TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: PNP - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V。
PDTB123TK,115 共有 12 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（300mV @ 2.5mA, 50mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（500nA）、Power - Max（250 mW）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（TO-236-3, SC-59, SOT-23-3） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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