PDTD123ES,126是恩智浦半導體旗下的單個預偏置雙極晶體管 產品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供PDTD123ES,126現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供PDTD123ES,126 datasheet數據手冊下載、規(guī)格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequency - Transition | - |
| Power - Max | 500 mW |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
PDTD123ES,126 是由 恩智浦半導體 制造的 單個預偏置雙極晶體管 類電子元器件。TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: NPN - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms。
PDTD123ES,126 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（40 @ 50mA, 5V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（300mV @ 2.5mA, 50mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（500nA）、Power - Max（500 mW）、Mounting Type（Through Hole） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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