PBRN113ZS,126是恩智浦半導(dǎo)體旗下的單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供PBRN113ZS,126現(xiàn)貨庫存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供PBRN113ZS,126 datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 500 @ 300mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.15V @ 8mA, 800mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequency - Transition | - |
| Power - Max | 700 mW |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
PBRN113ZS,126 是由 恩智浦半導(dǎo)體 制造的 單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管 類電子元器件。TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: NPN - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V、Resistor - Base (R1): 1 kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms。
PBRN113ZS,126 共有 13 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（500 @ 300mA, 5V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（1.15V @ 8mA, 800mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（500nA）、Power - Max（700 mW）、Mounting Type（Through Hole） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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