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| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500μA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1μA |
| Frequency - Transition | - |
| Power - Max | 250 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | SMT3; MPAK |
PDTA113ZK,115 是由 恩智浦半導(dǎo)體 制造的 單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管 類電子元器件。TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: PNP - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Resistor - Base (R1): 1 kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms。
PDTA113ZK,115 共有 13 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（35 @ 5mA, 5V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（150mV @ 500μA, 10mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（1μA）、Power - Max（250 mW）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū)，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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