| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500μA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1μA |
| Frequency - Transition | - |
| Power - Max | 500 mW |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
PDTA113ZS,126 是由 恩智浦半導體 制造的 單個預偏置雙極晶體管 類電子元器件。TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: PNP - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Resistor - Base (R1): 1 kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms。
PDTA113ZS,126 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（35 @ 5mA, 5V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（150mV @ 500μA, 10mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（1μA）、Power - Max（500 mW）、Mounting Type（Through Hole） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 恩智浦半導體：**恩智浦半導體（NXP Semiconductors）：連接未來，驅動智能世界**
PDTA113ZS,126 現貨庫存充足，可通過深圳凌創輝電子有限公司立即采購。作為 恩智浦半導體 代理商和供應商，我們保證所有元器件均為100%原裝正品，來源可靠可追溯。我們提供PDTA113ZS,126價格報價查詢、datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦服務，支持批量采購與在線詢價。立即申請報價，獲取 PDTA113ZS,126 的最新價格和交期信息。
深圳凌創輝電子有限公司是恩智浦半導體代理商，專業供應PDTA113ZS,126等單個預偏置雙極晶體管 產品。如您需要PDTA113ZS,126的datasheet數據手冊、規格參數詳情或替代型號信息，歡迎聯系我們獲取技術支持。
我們提供PDTA113ZS,126現貨庫存查詢與價格報價，支持批量采購與在線詢價，原裝正品保障，發貨速度快。聯系方式：0755-83216080 / SALES@LJQ.CC。
